Kaufen GeneSiC Semiconductor GBU8J DIODE BRIDGE 600V 8A GBU

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

GBU8J

DIODE BRIDGE 600V 8A GBU

Artikelnummer

GBU8J

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

Standard

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

4-SIP, GBU

Gerätepaket des Lieferanten

GBU

Diodentyp

Single Phase

Spannung – Spitzenumkehr (max.)

600V

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 600V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 31617 PCS

Kontaktinformationen