Kaufen GeneSiC Semiconductor GBU8D DIODE BRIDGE 200V 8A GBU

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Datenblätter

GBU8D

DIODE BRIDGE 200V 8A GBU

Artikelnummer

GBU8D

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

Standard

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

4-SIP, GBU

Gerätepaket des Lieferanten

GBU

Diodentyp

Single Phase

Spannung – Spitzenumkehr (max.)

200V

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 200V

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