EPC
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EPC2110
Datenblätter

EPC2110

MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Artikelnummer
EPC2110
Hersteller/Marke
EPC
Serie
eGaN®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
-
Paket/Koffer
Die
Leistung max
-
Gerätepaket des Lieferanten
Die
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
80pF @ 60V
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