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EPC2107ENGRT
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2107ENGRT
Hersteller/Marke
Serie
eGaN®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
9-VFBGA
Leistung max
-
Gerätepaket des Lieferanten
9-BGA (1.35x1.35)
FET-Typ
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
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