EPC
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EPC2101ENGRT
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EPC2101ENGRT

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Artikelnummer
EPC2101ENGRT
Hersteller/Marke
EPC
Serie
eGaN®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
Die
Leistung max
-
Gerätepaket des Lieferanten
Die
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
300pF @ 30V
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