EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2012
Hersteller/Marke
Serie
eGaN®
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
Die
Gerätepaket des Lieferanten
Die
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
145pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V
Vgs (Max)
+6V, -5V
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