Kaufen Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

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Datenblätter

ZXMC3AMCTA

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

Artikelnummer

ZXMC3AMCTA

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-WDFN Exposed Pad

Leistung max

1.7W

Gerätepaket des Lieferanten

8-DFN (3x2)

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

190pF @ 25V

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