Kaufen Diodes Incorporated ZVP4525E6TA MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6

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Datenblätter

ZVP4525E6TA

MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6

Artikelnummer

ZVP4525E6TA

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-6

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

197mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

73pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

3.5V, 10V

Vgs (Max)

±40V

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