Kaufen Diodes Incorporated DMTH8012LK3Q-13 MOSFET NCH 80V 50A TO252

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DMTH8012LK3Q-13

MOSFET NCH 80V 50A TO252

Artikelnummer

DMTH8012LK3Q-13

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252, (D-Pak)

Verlustleistung (max.)

2.6W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

46.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2051pF @ 40V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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