Kaufen Diodes Incorporated DMT3006LDK-7 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

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Datenblätter

DMT3006LDK-7

MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Artikelnummer

DMT3006LDK-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Gerätepaket des Lieferanten

V-DFN3030-8

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

17.1A (Ta), 46.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1320pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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