Kaufen Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7 MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3

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Datenblätter

DMP58D0LFB-7

MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3

Artikelnummer

DMP58D0LFB-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

3-UFDFN

Gerätepaket des Lieferanten

3-DFN1006 (1.0x0.6)

Verlustleistung (max.)

470mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

180mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

27pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 5V

Vgs (Max)

±20V

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