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C2M0160120D

C2M0160120D

MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Artikelnummer
C2M0160120D
Hersteller/Marke
Serie
Z-FET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32.6nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
527pF @ 800V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
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