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CDBJSC51200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Artikelnummer
CDBJSC51200-G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-2
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220-2
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
5A (DC)
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
100µA @ 1200V
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1200V
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 175°C
Kapazität @ Vr, F
475pF @ 0V, 1MHz
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