Kaufen Central Semiconductor Corp CXDM6053N TR MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

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Datenblätter

CXDM6053N TR

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

Artikelnummer

CXDM6053N TR

Hersteller/Marke

Central Semiconductor Corp

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-243AA

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-89

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

920pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

20V

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