Kaufen Central Semiconductor Corp CXDM4060P TR MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89

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Datenblätter

CXDM4060P TR

MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89

Artikelnummer

CXDM4060P TR

Hersteller/Marke

Central Semiconductor Corp

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-243AA

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-89

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

750pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

25V

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