Kaufen Central Semiconductor Corp CEDM8001 TR MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883

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Datenblätter

CEDM8001 TR

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883

Artikelnummer

CEDM8001 TR

Hersteller/Marke

Central Semiconductor Corp

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-101, SOT-883

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-883

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.66nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

45pF @ 3V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4V

Vgs (Max)

10V

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