Kaufen Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT11N60L MOSFET N-CH 600V 11A TO220

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AOT11N60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Artikelnummer

AOT11N60L

Hersteller/Marke

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220

Verlustleistung (max.)

272W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1990pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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