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AON6560
MOSFET N-CH
Artikelnummer
AON6560
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerSMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten
8-DFN (5x6)
Verlustleistung (max.)
7.3W (Ta), 208W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
84A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
680 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
325nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
11500pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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