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AON6450
MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerSMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten
8-DFN (5x6)
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3100pF @ 50V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
7V, 10V
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