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AON2707
MOSFET P-CH 30V 4A DFN
Artikelnummer
AON2707
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
6-DFN-EP (2x2)
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
305pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V, 10V
Vgs (Max)
±12V
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