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AOI4T60

AOI4T60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Artikelnummer
AOI4T60
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gerätepaket des Lieferanten
TO-251A
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
460pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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