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AOD3N50_003

AOD3N50_003

MOSFET N-CH TO252
Artikelnummer
AOD3N50_003
Serie
-
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252, (D-Pak)
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
331pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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