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AO4435L_102
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
Artikelnummer
AO4435L_102
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1400pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V, 20V
Vgs (Max)
±25V
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