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AO4286

AO4286

MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC
Artikelnummer
AO4286
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
390pF @ 50V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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