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ALD212900ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Artikelnummer
ALD212900ASAL
Hersteller/Marke
Serie
EPAD®, Zero Threshold™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Betriebstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
500mW
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
10.6V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 Ohm
Vgs(th) (Max) @ Id
10mV @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
30pF @ 5V
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