EPC

EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN®) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.

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MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
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MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
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MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
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MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
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MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
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TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
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TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
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TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
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MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
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MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
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MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
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