EPC

EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN®) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.

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GANFET N-CH 80V 18A DIE
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GANFET N-CH 80V 18A DIE
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GANFET N-CH 80V 18A DIE
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TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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TRANS GAN 350V BUMPED DIE
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TRANS GAN 350V BUMPED DIE
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TRANS GAN 350V BUMPED DIE
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TRANS GAN 200V BUMPED DIE
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TRANS GAN 200V BUMPED DIE
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200 V GAN IC FET DRIVER
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200 V GAN IC FET DRIVER
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200 V GAN IC FET DRIVER
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150 V GAN IC DUAL FET DRIVER
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150 V GAN IC DUAL FET DRIVER
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150 V GAN IC DUAL FET DRIVER
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TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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