Diode/Bridge Rectifier

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DIODES (US and Taiwan)
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68533 PCS
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onsemi (Ansemi)
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56483 PCS
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YANGJIE (Yang Jie)
Hersteller
GBPC3510W-A1-0000
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60335 PCS
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Artikelnummer
YANGJIE (Yang Jie)
Hersteller
MUR160-C1-0000
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67702 PCS
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Artikelnummer
YANGJIE (Yang Jie)
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64744 PCS
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Artikelnummer
Nexperia
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85360 PCS
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YANGJIE (Yang Jie)
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88755 PCS
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ST (STMicroelectronics)
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84611 PCS
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Artikelnummer
PINGWEI (Pingwei)
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54278 PCS
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Artikelnummer
WILLSEMI (Will)
Hersteller
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54354 PCS
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Artikelnummer
XCH (Xu Changhui)
Hersteller
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81018 PCS
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Artikelnummer
ST (STMicroelectronics)
Hersteller
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61818 PCS
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Artikelnummer
MDD
Hersteller
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99741 PCS
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Artikelnummer
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Hersteller
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59437 PCS
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Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Hersteller
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67727 PCS
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Artikelnummer
Crystal Conductor Microelectronics
Hersteller
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88858 PCS
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VISHAY (Vishay)
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50260 PCS
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Artikelnummer
SMC (Sanders)
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93565 PCS
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YFW (You Feng Wei)
Hersteller
I(AV) 16 VRRM(V) 400 IFsM(A) 160 VFM(V) 1.1 VFMI(AV)(A) 16 IRM@VRRM(μA) 0.1 trr(ns) 35
Beschreibung
64687 PCS
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Artikelnummer
onsemi (Ansemi)
Hersteller
Using the Schottky diode potential barrier principle, a large area metal-silicon power diode is used. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. This encapsulation is also an easy-to-use alternative to the leadless 34 encapsulation style. Due to its small size, it is suitable for portable battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMICA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
Beschreibung
55006 PCS
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